3/4 (日)
関連する異分野の理解を深め、分野間融合による新たな価値創造を目的にチュートリアルを行います。
| 12:30- |
受付 |
チュートリアル プラズマ科学1、2
座長：荒巻光利（名古屋大学）
【B会場】 |
| 13:00-13:45 |
河野 明廣（名古屋大学）
"Optical Diagnostics and Monitoring of Processing Plasmas" |
| 13:45-14:30 |
U. Czarnetzki （Ruhr Univ, Bochum, Germany）
"Radio-Frequency Plasmas" |
| 14:30-14:40 |
休憩 |
チュートリアル 窒化物半導体1、2
座長：天野浩（名古屋大学）
【B会場】 |
| 14:40-15:25 |
天野 浩（名古屋大学）
"Nitride-Based Visible LEDs" |
| 15:25-16:10 |
A. Khan（Univ. of South Carolina, USA）
"III-Nitride Technology, it’s requirements and commercialization" |
| 16:10-16:20 |
休憩 |
チュートリアル ナノ材料1、2
座長：平松美根男（名城大学）
【B会場】 |
| 16:20-17:05 |
J. G. Han （Sungkyunkwan Univ., Korea）
"Fundamental and advanced plasma processes for thin film design and synthesis" |
| 17:05-17:50 |
平松 美根男（名城大学）
"Carbon Nanostructures: plasma synthesis and characterization" |
| 18:00-19:30 |
ウェルカムパーティー（中部大学 第3学生ホール） |
3/5 (月)
| 9:00- |
受付 |
オープニング
座長：増田秀樹（名古屋工業大学）
【S会場】 |
| 9:30-9:45 |
開会挨拶
【来賓挨拶】
木村 直人（文部科学省 科学技術・学術政策局 産業連携・地域支援課 地域支援企画官）
【主催者挨拶】
加藤 伸一（（公財）科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 本部長）
【ISPlasma2012組織委員会委員長挨拶】
堀 勝（名古屋大学 教授） |
| 9:45-9:55 |
開会の辞（Opening Talk）
大塚 美則（（公財）科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 事業総括） |
| 9:55-10:25 |
知的クラスター講演
5a-S01C
堀 勝 （名古屋大学） |
| 10:25-10:40 |
休憩 |
特別講演・基調講演
座長：天野浩（名古屋大学）
【S会場】 |
| 10:40-11:20 |
特別講演
5a-S02PL
飯吉 厚夫（中部大学）
"How to Bring the Power of the Sun down to the Earth
~Fusion Plasma and Solar Energy Research~" |
| 11:20-11:55 |
基調講演
5a-S03K
名西 憓之（立命館大学・Seoul National Univ., Korea）
"Importance of Advanced Plasma for Frontier Nitride Semiconductor Technologies" |
| 11:55-12:30 |
基調講演
5a-S04K
P. Kamat （Univ. of Notre Dame, USA）
"Light Energy Conversion with Nanostructure Assemblies" |
| 12:30-13:15 |
昼食 |
| 13:15-14:45 |
ポスターセッション 1 |
| |
プラズマ科学1
プラズマ源と計測Ⅰ
座長：中村圭二
（中部大学）
【A会場】 |
窒化物半導体1
窒化物薄膜成長
座長：名西憓之
（立命館大学・Seoul
National Univ.,Korea）
【B会場】 |
ナノ材料1
ナノカーボン材料
座長：須田善行
（豊橋技術科学大学）
【C会場】 |
14:45-15:15
招待講演
5p-A01IA
R. P. Brinkmann （Ruhr-Univ. Bochum, Germany）
"Active plasma resonance spectroscopy –
electromagnetic vs. electrostatic concepts " |
14:45-15:15
招待講演
5p-B01IB
橋本 忠朗 （Sixpoint Materials, Inc., USA）
"Improved crystal quality of bulk GaN grown by the ammonothermal method" |
14:45-15:15
招待講演
5p-C01IC
粟野 祐二（慶応義塾大学）
"Remote Plasma CVD technologies for Carbon based LSI interconnects" |
15:15-15:35
5p-A02OA （2148）
Y. Liang （Chubu Univ., Japan）
"Curling probe monitoring of wall condition in plasma processing" |
15:15-15:35
5p-B02OB （2422）
N. Okada （Yamaguchi Univ., Japan）
"Optical properties of multiple quantum wells on GaN layers composed of {10-11} and m-facets structure" |
15:15-15:35
5p-C02OC （2416）
H. Tanoue （Toyohashi Univ. of Tech., Japan）
"Patterning of Tetrahedral Amorphous-Carbon Film by Electron Beam Lithography and Pick Up from Si-Wafer in Focused Ion Beam System" |
15:35-15:55
5p-A03OA （2166）
I. Ganachev （ Shibaura Mechatronics Corp.,Japan）
"Power dependence of electron dnesity profiles in surface-wave plasma studied by self-consistent numerical simulation with local plasma kinetics" |
15:35-15:55
5p-B03OB （2327）
S. Park （Seoul National Univ., Korea）
"Effects of high temperature GaN nucleation layers grown with different carrier gases on a-plane GaN by metal organic chemical vapor deposition" |
15:35-15:55
5p-C03OC （2159）
K. Yasuda （Nagoya Univ., Japan）
"Changes in crystalline structures of initial growth surfaces of carbon nanowalls" |
15:55-16:15
5p-A04OA （2206）
A. Fukushima （Nagoya Univ., Japan）
"Relationship between silicon thin film property and flux ratio of H radical to silicon growth precursor in SiH4/H2 plasma CVD" |
15:55-16:15
5p-B04OB （2223）
Y. Ryu （Kyushu Univ., Japan）
"Relationship between etch pits and threading dislocations in AlN grown on a sapphire substrate" |
15:55-16:15
5p-C04OC （2189）
G. Kalita （Chubu Univ., Japan）
"Synthesis of graphene by surface wave microwave plasma CVD for transparent electrode applications" |
| 16:15-16:35 |
休憩 |
| |
プラズマ科学2
プラズマ源と計測Ⅱ
座長：R. P.Brinkmann
（Ruhr-Univ., Germany）
【A会場】 |
窒化物半導体2
光デバイスと評価
座長：橋本忠朗
（Sixpoint Materials,
Inc., USA）
【B会場】 |
ナノ材料2
ポーラス材料
座長：M. Bratescu
（名古屋大学）
【C会場】 |
16:35-17:05
招待講演
5p-A05IA
Vinu L. Venkatraman（EPFL, Switzerland）
"Chip-scale rubidium dielectric barrier discharge lamp for miniature atomic clocks and magnetometers" |
16:35-16:55
5p-B05OB （2034）
L. Lu （Nagoya Inst. of Tech., Japan）
"Significant variation of Electroluminescence emission with different barriers of AlxGa1-xN multiple-quantum-well in deep ultraviolet light-emitting diodes" |
16:35-17:05
招待講演
5p-C05IC
稲垣 伸二（（株）豊田中央研究所）
"Nanoporous Organosilica Hybrids for Energy-related
Applications" |
17:05-17:25
5p-A06OA （2381）
F. Tochikubo （Tokyo Metropolitan Univ., Japan）
"Electrolysis with atmospheric pressure glow discharge as a plasma electrode" |
16:55-17:15
5p-B06OB （2405）
F. Tuomisto （Aalto Univ., Finland）
"In-grown point and extended defects in PA-MBE GaN and InN" |
17:05-17:25
5p-C06OC （2283）
T. Kanda （Nagoya Univ., Japan）
"Vertical Lamination of Carbon Nanowalls by Twostep Growth Method" |
17:25-17:45
5p-A07OA（2215)
M. Blajan (Shizuoka Univ., Japan)
"Diagnostics of microplasma spatial and temporal distribution by emission spectroscopy" |
17:15-17:35
5p-B07OB （2433）
F. Fukuyo （Mie Univ., Japan）
"Growth of AlGaN MQWs as a Target for Deep- UV-Light Sources" |
17:25-17:45
5p-C07OC （2019）
E. Omurzak （Kumamoto Univ., Japan）
"Hollow carbon nano-onions by the pulsed plasma in liquid with tunable morphology and composition" |
3/6 (火)
| 9:10- |
受付 |
| |
プラズマ科学3
薄膜の堆積と改質
座長：M. Goeckner
（Univ. of Texas at
Dallas, USA）
【A会場】 |
窒化物半導体3
電子デバイスⅠ
座長：K.Chen
（The Hong Kong Univ. of
Science and Tech., China）
【B会場】 |
ナノ材料3
エネルギー創造・
貯蔵デバイス
座長：是津信行
（名古屋大学）
【C会場】 |
9:30-10:00
招待講演
6a-A01IA
伊藤 篤史（核融合科学研究所）
"Formation and Classification of Amorphous Carbon by Molecular Dynamics Simulation" |
9:30-10:05
基調講演
6a-B01KB
T. Palacios（Massachusetts Inst. of Tech., USA）
"GaN Transistors: Transforming Electronics from THz to KV" |
9:30-10:00
招待講演
6a-C01IC
西原 洋知（東北大学）
"Nanocarbons for energy storage applications" |
10:00-10:20
6a-A02OA （2426）
S. Chen （Nagoya Univ., Japan）
"The role of hydrogen radical on plasma damaged gallium nitride" |
10:05-10:25
6a-B02OB （2302）
T. Kubo （Nagoya Inst. of Tech., Japan）
"Characterization of aluminum oxide deposited on GaN using ozone-based atomic layer deposition" |
10:00-10:20
6a-C02OC （2005）
A. Al-zubaidi （Nagoya Inst. of Tech., Japan）
"Ion Accessibility and the Resulting Electrical Double Layer Capacitance of Different Electrolytes Inside Open-end SWCNT" |
10:20-10:40
6a-A03OA （2242）
C. Lin （National Dong Hwa Univ., Taiwan）
"ZrO2 Resistive Switching Memory Fabricated on PES Flexible Substrate" |
10:25-10:45
6a-B03OB （2162）
U. Honda （Aichi Inst. of Tech. Japan）
"Comparision of deep levels in n-GaN grown by MOCVD on sapphire substrates with LTAlN and GaN buffer layers" |
10:20-10:40
6a-C03OC （2176）
H. Seo （Kyushu Univ., Japan）
"The improvement on the adhesion of Si nano-particles for Si quantum dot-sensitized solar cells" |
10:40-11:00
休憩 |
10:45-11:00
休憩 |
10:40-11:00
休憩 |
プラズマ科学4
エッチングプロセス
座長：伊藤 篤史
（核融合科学研究所）
【A会場】 |
窒化物半導体4
デバイスプロセス
座長：山口雅史
（名古屋大学）
【B会場】 |
ナノ材料4
表面改質･表面機能化
座長：嶋睦宏（岐阜大学）
【C会場】 |
11:00-11:30
招待講演
6a-A04IA
R. Bruce （IBM T. J. Watson Research Center, USA）
"Plasma-Polymer Interactions For Nanoscale Patterning Of Materials" |
11:00-11:30
招待講演
6a-B04IB
K. Chen （The Hong Kong Univ. of Science and Tech., China）
"Fluorine Plasma Ion Implantation: a GaN Normally-off HEMT Technology" |
11:00-11:30
招待講演
6a-C04IC
P. Mayrhofer （Montanuniversitaet Leoben, Austria）
"Computational Design and Experimental Study of Transition-Metal-Aluminum-Nitride Thin Films" |
11:30-12:00
招待講演
6a-A05IA
M. Goeckner （Univ. of Texas at Dallas, USA）
"Plasma chemistry and film growth in a complex organic system" |
11:30-11:50
6a-B05OB （2163）
M. Niibe （Univ. of Hyogo, Japan）
"Damage Analysis of n-GaN Crystals Etched with He and N2 Plasma" |
11:30-11:50
6a-C05OC （2004）
H. Tamagawa （Gifu Univ., Japan）
"Bending controllability of Nafion-based IPMC coated with MnO2-coated CMC" |
12:00-12:20
6a-A06OA （2077）
E. Kunnen （imec, Belgium）
"Influence and evolution of 193i resist composition during VUV exposure" |
11:50-12:10
6a-B06OB （2044）
K. Hagiwara （Aichi Inst. of Tech., Japan）
"Carbon related local vibration mode in a （1-101）AlGaN grown on a （111）Si substrate" |
11:50-12:10
6a-C06OC （2230）
N. Zettsu （Nagoya Univ., Japan）
"PS@Au Plasmonic Nanoshells with Conical Shape for Highly-sensitive NIR-light responsible LSPR-sensor" |
| 12:10-13:00 |
昼食 |
| 13:00-14:30 |
ポスターセッション 2 |
産学官連携1
持続的発展を目指した研究拠点形成
座長：高橋道郎（中部大学）
【S会場】
※発表資料は以下のリンクからダウンロードが可能です。
|
| 14:30-14:55 |
基調講演
6p-S01KE
T. Koljonen （VTT Technical Research Centre of Finland, Finland）
“Instruments for creating an innovation hot spot” |
| 14:55-15:20 |
基調講演
6p-S02KE
大森 慎吾（YRP国際連携研究所）
”R&D Promotions at Yokosuka Research Park” |
| 15:20-15:45 |
基調講演
6p-S03KE
Y. Tai (Industrial Technology Research Institute, Taiwan)
"How does ITRI do for Formation of Industrial-Academia-Government Collaboration
A case of TAS (Taiwan Aerospace Supply chain Alliance) Formation" |
| 15:45-16:10 |
基調講演
6p-S04KE
出川 通（（株）テクノ・インテグレーション）
"The trend of development and start‐up sites in the world and Japan
―The issues, competitiveness and prospect of innovatio in the context of MOT―" |
| 16:10-16:35 |
基調講演
6p-S05KE
泉谷 渉（（株）産業タイムズ社）※泉谷氏の発表資料のWEB公開はいたしません。
"It should be driven forward to establish the domestic R&D Hubs
―Tokai Region as a Potential Location―" |
| 16:35-16:50 |
休憩 |
産学官連携2
持続的発展を目指した研究拠点形成
座長：高橋道郎（中部大学）
【S会場】
|
| 16:50-18:20 |
パネルディスカッション
〈モデレーター〉
小竹 暢隆（名古屋工業大学）
〈パネリスト〉
出川 通（（株）テクノ・インテグレーション）
泉谷 渉（（株）産業タイムズ社）
T. Koljonen （VTT Technical Research Centre of Finland, Finland）
大森 慎吾（YRP国際連携研究所）
Y. Tai (Industrial Technology Research Institute, Taiwan)
堀 勝（名古屋大学） |
| 18:30-20:00 |
バンケット （中部大学 第1学生ホール） |
3/7 (水)
| 9:10- |
受付 |
| |
プラズマ科学5
新規プラズマⅠ
座長：金子俊郎
（東北大学）
【A会場】 |
窒化物半導体5
窒化物半導体ナノ構造
座長：若原 昭浩
（豊橋技術科学大学）
【B会場】 |
ナノ材料5
ナノ機能材料
座長：三浦永理
（兵庫県立大学）
【C会場】 |
9:30-10:00
招待講演
7a-A01IA
P. Favia （Univ. of Bari, Italy）
"Plasma processing of Materials for Life Sciences" |
9:30-10:00
招待講演
7a-B01IB
岸野 克巳（上智大学）
"InGaN-based Nanocolumn Emitters" |
9:30-10:00
招待講演
7a-C01IC
山口グリーンスレット ひとみ（Univ. of Florida, USA）
"New Magnetic Abrasives: Development and Precision Applications" |
10:00-10:20
7a-A02OA （2330）
M. Shiratani （Kyushu Univ., Japan）
"A-Si:H Schottky Cells with Quite Low Light Induced Degradation Fabricated by Multihollow Discharge Plasma CVD" |
10:00-10:20
7a-B02OB （2142）
J. Birch （Linkoping Univ., Sweden）
"Tailoring of AlInN Nanohelixes by Controlled Curved-lattice Epitaxial Growth" |
10:00-10:20
7a-C02OC （2300）
D. Wei （National Taipei Univ. of Tech., Taiwan）
"Solvent effect on the synthesized characters of FePt monodispersive nanoparticles" |
10:20-10:40
7a-A03OA （2398）
Y. Setsuhara （Osaka Univ., Japan）
"ICP-Assisted Sputtering with Inner-Type Low-Inductance Antenna for Low-Damage Reactive Deposion of Functional Films" |
10:20-10:40
7a-B03OB （2078）
P. Shields （Univ. of Bath, UK）
"Fabricaton and properties of etched GaN nanorods" |
10:20-10:40
7a-C03OC （2188）
M. Shima （Gifu Univ., Japan）
"CoPt Alloy Nanomagnets Crystalized on Carbon Microcoils" |
| 10:40-11:00 |
休憩 |
| |
プラズマ科学6
新規プラズマⅡ
座長：P. Favia
（Univ. of Bari, Italy）
【A会場】 |
窒化物半導体6
電子デバイスⅡ
座長：橋詰保
（北海道大学）
【B会場】 |
ナノ材料6
ナノパーティクル･
ナノワイア･ナノロッド
座長：牧原克典
（名古屋大学）
【C会場】 |
11:00-11:30
招待講演
7a-A04IA
金子 俊郎（東北大学）
"Biomedical applications of DNA-nanocarbon conjugates synthesized by gas-liquid interfacial plasmas" |
11:00-11:30
招待講演
7a-B04IB
須田 淳（京都大学）
"Group-III nitride/silicon carbide heterostructures -- MBE growth and device applications" |
11:00-11:30
招待講演
7a-C04IC
X. Li （Peking Univ., China）
"Synthesis of nanostructured materials by hot and cold plasmas" |
11:30-11:50
7a-A05OA （2161）
H. Hashizume （Meijo Univ., Japan）
"Effect of atomic oxygen on inactivation of spores of P. digitatum by low-temperature atmospheric-pressure plasma" |
11:30-11:50
7a-B05OB （2219）
J. Jesudass （Nagoya Inst. of Tech., Japan）
"Investigation of trap states in in-situ MOCVD grown AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs grown on Sapphire substrates" |
11:30-11:50
7a-C05OC （2140）
C. Hsiao （Linkoping Univ., Sweden）
"Core-Shell AlInN Nanorod Arrays Grown by Magnetron Sputter Epitaxy" |
11:50-12:10
7a-A06OA （2271）
O. Li （Nagoya Univ., Japan）
"By-Products Analysis for Degradation of Cellulose by Solution Plasma" |
11:50-12:10
7a-B06OB （2113）
K. Takeshita （Tokyo Metropolitan Univ., Japan）
"Charge-State Dependent Annealing of Plasma- Induced Defects in n-GaN" |
11:50-12:10
7a-C06OC （2208）
T. Suzuki （Nagoya Univ., Japan）
"Field Emission Properties of 10-nm Organic Nanopillars Fabricated by H2/N2 Mixture Gas Plasma Etching" |
| 12:10-13:00 |
昼食 |
| 13:00-14:30 |
ポスターセッション 3 |
分野間融合1
先端窒化物半導体デバイス
座長：A.Khan （Univ. of South Carolina, USA）
【S会場】
|
| 14:30-15:05 |
基調講演
7p-S01KB
B. Daudin （CEA-Grenoble, France）
"GaN nanowires, GaN/AlGaN and InGaN/GaN nanowire heterostructures: growth, structural and optical properties" |
| 15:05-15:35 |
招待講演
7p-S02IB
橋詰 保（北海道大学）
"GaN-based MOS structures processed with plasma-assisted dry etching" |
| 15:35-16:05 |
招待講演
7p-S03IB
齋藤 泰伸、吉岡 啓（（株）東芝S&S社）
"GaN-HEMTs for Power Electronic Applications" |
| 16:05-16:25 |
7p-S04OB （2199）
Q. Wang （The Univ. of Tokushima, Japan）
"Influence of Dry Recess Process on Enhancement-mode GaN MOSFET" |
| 16:25-16:45 |
休憩 |
分野間融合2
プラズマ科学と窒化物半導体
座長：山口雅史（名古屋大学）
【S会場】 |
| 16:45-18:05 |
パネルディスカッション
プラズマ科学と窒化物半導体III
窒化物半導体デバイスにおけるプラズマプロセスの重要性と課題
〈モデレーター〉
天野 浩（名古屋大学）
〈パネリスト〉
橋詰 保（北海道大学）
加地 徹（（株）豊田中央研究所）
A. Khan （Univ. of South Carolina, USA）
L. Selvaraj （名古屋工業大学）
名西 憓之 （立命館大学・Seoul National Univ. Korea）
齋藤 泰伸（（株）東芝S&S社）
須田 淳（京都大学）
|
3/8 (木)
| 9:10- |
受付 |
分野間融合3
プラズマ援用結晶成長
座長：B. Daudin （CEA-Grenoble, France）
【S会場】 |
| 9:30-10:05 |
基調講演
8a-S01KD
J. Speck （Univ. of California Santa Barbara, USA）
"Progress in the MBE Growth of GaN – Materials and Devices" |
| 10:05-10:25 |
8a-S02OD （2432）
K. Wang （Ritsumeikan Univ., Japan）
"Free holes in Mg doped InN confirmed by thermopower experiments" |
| 10:25-10:45 |
8a-S03OD （2362）
T. Ohachi (Doshisha University)
“Self-ionization of nitrogen atoms from negatively baiased electrode for monitoreing nitrogen atom flux to use PA-MBE” |
| 10:45-11:00 |
休憩 |
分野間融合4
カーボン先端材料
座長：平松美根男（名城大学）
【S会場】 |
| 11:00-11:35 |
基調講演
8a-S04KD
M. Meyyappan（NASA Ames Research Center, USA）
"Plasma Nanotechnology: Past, Present, and the Future" |
| 11:35-12:05 |
招待講演
8a-S05ID
長谷川 雅考（（独）産業技術総合研究所）
"Low-temperature and large-area graphene synthesis by using microwave plasma CVD" |
| 12:05-12:25 |
8a-S06OD （2139）
T. Hagino （Nagoya Univ., Japan）
"Effect of electrode materials on Synthesis of nano-graphene by alcohol in-liquid plasma" |
| 12:25-13:30 |
昼食 |
レイトニュース
座長：関根 誠（名古屋大学）
【S会場】 |
| 13:30-14:00 |
8p-S01OLNA （3009）
C. Koshimizu (TOKYO ELECTRON YAMANASHI LTD, Japan)
"Measurement of heat fluxes to silicon wafer in plasma etching using low-coherence interferometry"
8p-S02OLNB （3024）
A. Jesudas (Nanyang Technological Univ., Singapore)
"Trapping Analysis by Pulsed Current-Voltage Characteristics for AlGaN/GaN HEMTs on 4-inch Si (111)"
8p-S03OLNC （3008）
J. Yang (Chang Gung Univ., Taiwan)
"Preparation and characterization of nano Pt-modified graphene fuel cell catalyst for methanol oxidation in alkaline solutions" |
グリーンイノベーション1
座長：Meyyappan(NASA Ames Research Center, USA)
【S会場】
 |
| 14:00-14:35 |
基調講演
8p-S01KD
R. Nemanich （Arizona State Univ., USA）
"Energy Conversion based on Thermionic and Photo-Electron Emission using Low Work Function Doped Diamond Films" |
| 14:35-15:05 |
招待講演
8p-S02ID
吉川 明彦（千葉大学）
"Proposal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with Using InN/GaN Magic Number Digital Alloys " |
| 15:05-15:35 |
招待講演
8p-S03ID
V. Svrcek（（独）産業技術総合研究所）
"Microplasma Induced Surface Engineering of Silicon Nanocrystals in Liquid Medium" |
| 15:35-16:05 |
招待講演
8p-S04ID
野崎 智洋（東京工業大学）
"Room Temperature Methane Conversion for Green Technology: Direct Synthesis of Methane to Methanol" |
| 16:05-16:25 |
休憩 |
グリーンイノベーション2
座長：猪股智彦（名古屋工業大学）
【S会場】
|
| 16:25-17:45 |
パネルディスカッション
先進プラズマナノテクノロジーが拓くグリーンイノベーション
〈モデレーター〉
野崎 智洋（東京工業大学）
〈パネリスト〉
神原 淳 （東京大学）
M. Meyyappan （NASA Ames Research Center, USA）
R. Nemanich （Arizona State Univ., USA）
V. Svrcek（（独）産業技術総合研究所）
|
| 17:45-18:05 |
アワード表彰 |
| 18:05-18:15 |
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