| （8:30-19:00） 受付 |
| 開会式・特別講演 【A会場】 |
| 9:20-9:35 |
開会の辞
・小松 弥生 （文部科学省科学技術学術政策局科学技術学術総括官）
・加藤 伸一 （東海広域知的クラスター創成事業本部 本部長）
・堀 勝 （名古屋大学） |
| 9:35-9:45 |
大塚 美則 （財団法人科学技術交流財団）
"Tokai Region Nanotechnology Manufacturing Cluster and its Expansion Program" |
| 9:45-10:15 |
Plenary Lecture 8a-A01S
飯島 澄男 （名城大学）
"Structure Characterization of Nano-carbon Materials on the Atomic Resolution Basis" |
| 10:15-10:35 |
休憩 |
知的クラスター創成事業 （第II期）
～東海広域ナノテクものづくりクラスター～
【A会場】 |
| 10:35-11:00 |
知的クラスター講演 8a-A02C
堀 勝 （名古屋大学）
"Fundamental Research on Plasma Nanoprocessing" |
| 11:00-11:15 |
知的クラスター講演 8a-A03C
天野 浩 （名城大学）
"Research on the Nitride-Based Light Emitters in Tokai Knowledge-Based Cluster" |
| 11:15-11:30 |
知的クラスター講演 8a-A04C
江川 孝志 （名古屋工業大学）
"Growth and Device Application of GaN on Si" |
| 11:30-11:45 |
知的クラスター講演 8a-A05C
高井 治 （名古屋大学）
"Progress in Solution Plasma Processing" |
| 11:45-12:00 |
知的クラスター講演 8a-A06C
渡辺 義見 （名古屋工業大学）
"Improvement of Machining Technologies for CFRP and Difficult to-Machine
Materials in the Transportation Industries" |
| 12:00-13:00 |
ランチ |
| 13:00-14:30 |
ポスターセッション A ＜奇数＞ |
| |
プラズマ（1）
先進プラズマ計測技術
【A会場】 |
窒化物（1）
電子デバイス
【B会場】 |
ナノ材料（1）
カーボン材料I
【C会場】 |
（14:30-15:00）
基調講演 8p-A01KA
U. Czarnetzki
（ルール大学ボッフム校、ドイツ）
"The Optical Probe: A Novel Device for Spatially Resolved Optical Emission Spectroscopy in Plasmas" |
（14:30-14:50）
招待講演 8p-B01IB
S. Arulkumaran
（ナンヤン工科大学、シンガポール）
"High Performance AlGaN/AlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate" |
（14:30-15:00）
基調講演 8p-C01KC
J. Robertson
（ケンブリッジ大学、イギリス）
"Plasma Deposition of Diamond-like Carbon Films" |
（15:00-15:20）
8p-A02OA
K. Urabe
(Kyoto University)
"Spatial Distribution of Electron Density in a Parallel-plate Dielectric Barrier Discharge Measured by CO2-laser Heterodyne Interferometry" |
（14:50-15:10）
招待講演 8p-B02IB
橋詰 保
（北海道大学）
"Effects of plasma processing on Surface Properties of GaN and AIGaN" |
（15:00-15:20）
依頼講演 8p-C02TC
H. Ohara
(Nippon ITF Inc.)
Industrial Applications of DLC and their Scientific Aspects" |
（15:20-15:40）
8p-A03OA
C. Koshimizu
(TOKYO ELECTRON AT LTD.)
"Temperature Measurement of Silicon Wafer in Plasma Etching Process Using Low-coherence Interferometry" |
（15:10-15:30）
8p-B03OB
S. Nakamura
(Tokyo Metropolitan University)
"Electrical and Optical Characterization of Plasma-Induced Defects in n-type GaN Exposed to Plasma" |
（15:20-15:40）
依頼講演 8p-C03TC
M. Hasegawa
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
"Low Temperature Nano-crystalline Diamond Film Synthesis Using Surface Wave Plasma Chemical Vapor Deposition" |
（15:40-16:00）
8p-A04OA
Q. Zhang
(Chubu University)
"Plasma Electron Monitoring with Multi-Resonator Frequency Shift Probe" |
（15:30-15:50）
8p-B04OB
S. L. Selvaraj
(Nagoya Institute of Technology)
"Improved Breakdown by Suppressing Gate Leakage Using 2nm i-GaN Cap Layered AlGaN/GaN HEMTs on Silicon" |
（15:40-16:00）
依頼講演 8p-C04TC
H. Yamada
(AIST)
"A Description of Reactive Microwave-plasma-CVD of Single-crystal-diamond" |
| （16:00-16:20） 休憩 |
（15:50-16:20） 休憩 |
（16:00-16:20） 休憩 |
プラズマ（2）
シミュレーション
【A会場】 |
窒化物（2）
GaN成長
【B会場】 |
ナノ材料（2）
カーボン材料II
【C会場】 |
（16:20-16:50）
基調講演 8p-A05KA
M. J. Kushner
（ミシガン大学、アメリカ）
"Customizing Plasma Sources for Advanced Materials Synthesis" |
（16:20-16:50）
基調講演 8p-B05KB
福田 承生
（東北大学)
"Prospects for the Acidic Ammonothermal Growth of GaN Crystal" |
（16:20-16:50）
基調講演 8p-C05KC
Y. Wu
（国立シンガポール大学、シンガポール）
"Growth of Two-dimensional Carbon Nanostructures and their Electrical Transport Properties" |
（16:50-17:10）
8p-A06OA
A. Ito
(National Institute for Fusion Science)
"Molecular Dynamics Simulation of Chemical Sputtering and Chemical Vapor Deposition on Carbon Materials" |
（16:50-17:10）
8p-B06OB
H. Y. Geng
(FURUKAWA CO., LTD)
"Residual Strain Evaluation by Cross-sectional Micro-reflectance Spectroscopy of Freestanding GaN Grown by HVPE" |
（16:50-17:10）
招待講演 8p-C06IC
野崎 智洋
（東京工業大学）
"A Pressure-induced Transition of Carbon Nanotube Morphology in Plasma Enhanced CVD" |
（17:10-17:30）
8p-A07OA
H. Kousaka
(Nagoya University) "Numerical Simulation of High-density Plasma Column Sustained in Narrow Metal Tube with Microwave Propagation along Plasma-sheath Interface" |
（17:10-17:30）
8p-B07OB
D. Iida
(Meijo University)
"Growth of GaInN Films by Raised Pressure MOVPE System at 200kPa" |
（17:10-17:30）
8p-C07OC
T. Suzuki
(Meijo University) "Application of Carbon Nanotubes to Nylon Composite" |
| 17:30-19:00 |
ポスターセッション A ＜偶数＞ |
| （9:00-18:00） 受付 |
| |
プラズマ（3）
エッチングプロセス I
【A会場】 |
窒化物（3）
RF‐MBE I
【B会場】 |
ナノ材料（3）
太陽電池
【C会場】 |
（9:20-9:50）
基調講演 9a-A01KA
M. Goeckner
（テキサス大学ダラス校、アメリカ）
"Energy Considerations in Plasma-surface Interactions" |
（9:20-9:50）
基調講演 9a-B01KB
Y. Cordier
（CRHEA-CNRS、フランス）
"Comparison of GaN Based Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy Using Nitrogen Plasma and Ammonia Sources" |
（9:20-9:50）
基調講演 9a-C01KC
福住 俊一
（大阪大学）
"Nanonaterials for Artificial Photosynthesis" |
（9:50-10:10）
9a-A02OA
S. Barnola
(CEA-LETI-MINATEC)
"Challenges in Plasma Etching of Narrow 3D Gate All Around Devices " |
（9:50-10:10）
9a-B02OB
T. Ohachi
(Doshisha University）
"RF Nitrogen Source for MBE Growth of
Group III Nitrides on Si and its Application for AM-MEE" |
（9:50-10:10）
招待講演 9a-C02IC
吉田 司
（岐阜大学）
"Electrochemical Self-Assembly of Nanostructured ZnO/Dye Hybrid Thin Films for Solar Cells" |
（10:10-10:30）
9a-A03OA
S.-W. Cho
(Korea AjouUniversity)
"Effect of CH2F2 Addition on the Angular Dependence of Si3N4 Etch Rates and SiO2-to-Si3N4 Etch Selectivity in a C4F6/Ar/O2 Plasma " |
（10:10-10:30）
9a-B03OB
S. Chen
(Nagoya University)
"Radical Kinetics in N2-H2 Plasma Generated by Novel High Density Radical Source" |
（10:10-10:30）
9a-C03OC
S. Adhikari
(Chubu University)
"Both Single Walled and Multi Walled Carbon Nanotubes Incorporated Organic Solar Cells " |
| 10:30-10:50 |
休憩 |
| |
プラズマ（4）
エッチングプロセス II
【A会場】 |
窒化物（4）
RF‐MBE II
【B会場】 |
ナノ材料（4）
表面改質･表面機能化
【C会場】 |
（10:50-11:20）
基調講演 9a-A04KA
J. P. Chang
（カリフォルニア大学、アメリカ）
"Multifunctional Oxide Materials: Synthesis and Patterning" |
（10:50-11:20）
基調講演 9a-B04KB
B. Daudin
（CEA グルノーブル研究所、フランス）
"Growth, Structural and Optical Properties of GaN/AIN Nanowire Heterostructures" |
（10:50-11:20）
基調講演 9a-C04KC
J. Patscheider
（EMPA、スイス）
"Hard and Optically Transparent Al-Si-N Thin Films: Solid Solutions, Nanocomposites and Nanomultilayers" |
（11:20-11:40）
9a-A05OA
T. Kachi
(Toyota Central R&D Labs., Inc.)
"Suppression of Leakage Current through the pn Junction Fabricated on Etched Surfaces of GaN" |
（11:20-11:40）
9a-B05OB
H. Umeda
(Ritsumeikan University) "Fabrication of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation" |
（11:20-11:40）
招待講演 9a-C05IC
小駒 益弘
（上智大学）
"Multi Layer Deposition of Silica Films on Polycarbonate by Combining Atmospheric Pressure Glow Plasma and Sol-Gel Method" |
（11:40-12:00）
9a-A06OA
C. S. Moon
(Nagoya University)
"A Well-Established Compact Combinatorial Etching Process Empolying Inductively Coupled H2/N2 Plasma" |
（11:40-12:00）
9a-B06OB
J. L. Guyaux
(RIBER SA)
"Current and Future's Development of Thinfilm Technology" |
（11:40-12:00）
9a-C06OC
J. Musil
(University of West Bohemia)
"Hard Nanocomposite Coatings: Mechanical and Tribological Properties, Thermal Stability and Protection against Oxidation above 1000C" |
| 12:00-13:00 |
ランチ |
| 13:00-14:30 |
ポスターセッション B ＜奇数＞ |
| 窒化物（5） 窒化物半導体の先端デバイス 【A会場】 |
| 14:30-15:00 |
基調講演 9p-A01KB
野田 進 （京都大学）
"Photonic Crystals and Their Application to GaN System" |
| 15:00-15:30 |
基調講演 9p-A02KB
N. Grandjean （ローザンヌ工科大学、スイス）
"Polariton Condensation Effects in GaN Microcavities" |
| 15:30-16:00 |
基調講演 9p-A03KB
吉川明彦（千葉大学）
"Recent Advances in Plasma-assisted MBE of 1ML-InN/GaN-matrix Nanostructures for Novel Solar Cell and Light Emitters" |
| 16:00-16:20 |
招待講演 9p-A04IB
上杉 勉 （豊田中央研究所）
"GaN Power Switching Devices for Automotive Applications" |
| 16:20-16:40 |
休憩 |
| 窒化物（6） 先進プラズマ技術の窒化物半導体への応用 【A会場】 |
| 16:40-18:10 |
パネルディスカッション
～Application of Advanced Plasma Technology for Nitride Semiconductors～
〈モデレーター〉
名西 憓之 （立命館大学）
〈パネリスト〉
天野 浩 （名城大学）
B. Daudin （CEAグルノーブル原子力研究所、フランス）
N. Grandjean （ローザンヌ工科大学、スイス）
橋詰 保 （北海道大学）
加納 浩之 （NUエコエンジニアリング 株式会社）
U. Mishra （カリフォルニア大学サンタバーバラ校、アメリカ）
奥村 次徳 （首都大学東京） |
| 18:10-19:40 |
バンケット （名城大学 名城食堂） |
| 受付 （9:00-17:00） |
| |
プラズマ（5）
CVDプロセス
【A会場】 |
窒化物（7）
白色LEDとその場観察
【B会場】 |
ナノ材料（5）
コンポジット・傾斜機能材料
【C会場】 |
（9:20-9:50）
基調講演 10a-A01KA
R. d'Aagostino
（バリ大学、イタリア）
"Plasma Nanostructured Fluoro-Polymers" |
（9:20-9:50）
基調講演 10a-B01KB
太田 光一
（豊田合成（株））
"History of GaN LED and its Progress" |
（9:20-9:50）
基調講演 10a-C01KC
L. A. Rocha
（ミーニョ大学、ポルトガル）
"Functionalization of Ti Surfaces for Biomedical Applications" |
（9:50-10:20）
基調講演 10a-A02KA
U. R. Kortshagen
（ミネソタ大学、アメリカ）
"Plasma-Synthesized Silicon Nanocrystals for Photovoltaics"
|
（9:50-10:10）
招待講演 10a-B02IB
V. Haerle
（OSRAM、 ドイツ）
"LED Technology for New Applications" |
（9:50-10:10）
10a-C02OC
E. Miura-Fujiwara
(Nagoya Institute of Technology)
"Fabrication of Metal-based Functionally Graded Grinding Wheel Dispersing Fine Ceramic Particles by a Centrifugal Mixed-powder Method" |
（10:20-10:40）
招待講演 10a-A03IA
吉田 豊信
（東京大学）
"Toward a Direct Production of Wafer-equivalent Si Films by Mesoplasma
CVD"
|
（10:10-10:30）
10a-B03OB
C.-C. Kao
(National Cheng Kung University)
"Localized Surface Plasmon-Enhanced GaN-based Light-Emitting-Diode with Ag Nanotriangles Array by Nanosphere Lithography" |
（10:10-10:30）
10a-C03OC
M. Tokita
(Bits Company Limited)
"Development of Industrial Products on Functionally Graded Materials by Spark Plasma Sintering (SPS) Method" |
| （10:40-10:50） 休憩 |
（10:30-10:50） 休憩 |
（10:30-10:50） 休憩 |
プラズマ（6）
太陽電池
【A会場】 |
窒化物（8）
紫外デバイス
【B会場】 |
ナノ材料（6）
ナノパーティクル
【C会場】 |
（10:50-11:20）
基調講演 10a-A04KA
高本 達也
（シャープ（株））
"High Efficiency III-V Multijunction Solar Cells" |
（10:50-11:20）
基調講演 10a-B04KB
C. J. Sun
（ITRI、台湾）
"UV WLED for Wide Color Gamut Display Application" |
（10:50-11:20）
基調講演 10a-C04KC
P. Milani
（ミラノ大学、イタリア）
"Pulsed Microplasma Cluster Source: A Powerful Tool for the Integration of Nanomaterials on Microdevices" |
（11:20-11:40）
10a-A05OA
M. Umeno
(Chubu University)
"Synthesis of Carbon Thin Film for Solar Cells Application" |
（11:20-11:40）
10a-B05OB
Y. Sakai
(Nagoya Institute of Technology)
"MOCVD Growth and Characterization of AlInN-based Schottky Ultraviolet Photodiodes on AlN Template" |
（11:20-11:40）
10a-C05OC
K. Sumiyama
(Nagoya Institute of Technology)
"Fe-Si Core/Si Shell Clusters Prepared by Collisions of Fe and Si Clusters in a Plasma-Gas-Condensation System" |
（11:40-12:00）
10a-A06OA
Y. Kawashima
(Kyushu University)
"Synthesis of Crystalline Si Nanoparticles for Quantum Dots Sensitized Solar Cells" |
（11:40-12:00）
10a-B06OB
F. Matsuno
(Toyohashi University of Technology)
"Intelligent UV Sensor Composed of GaN-based Photodiode and Si-charge Transfer Type Signal Prosessor" |
（11:40-12:00）
10a-C06OC
H. Miyata
(Kyushu University)
"Control of Surface Roughness of Nano-particle Composite Lowk Film Deposited in CVD Plasma" |
| 12:00-13:00 |
ランチ |
| 13:00-14:30 |
ポスターセッション B ＜偶数＞ |
| プラズマ（7） 先進プラズマ応用と産官学連携のあり方 【A会場】 |
| 14:30-15:00 |
基調講演 10p-A01KA
東 哲郎 （東京エレクトロン（株））
"Global Competitive Strength by Core Technology"
「コア技術を国際競争力に結びつけるために」
 |
| 15:00-15:30 |
基調講演 10p-A02KA
J. G. Han （成均館大学、韓国）
"Synthesis of Functional Hybrid Films on Polymer by Dual RF Plasma CVD"
|
| 15:30-16:00 |
基調講演 10p-A03KA
E. Schultheiss （フラウンホーファー研究所、ドイツ ）
"Technology Transfer in Germany; the Fraunhofer Model"
|
| 16:00-16:30 |
基調講演 10p-A04KA
泉谷 渉 （（株）産業タイムズ社）
"Environment and Energy is the Second Industrial Revolution!"
|
| 16:30-16:50 |
休憩 |
| プラズマ（8） 先進プラズマ科学の具体的応用と産学官連携 【A会場】 |
| 16:50-18:20 |
パネルディスカッション
～Application Front of Advanced Plasma Science and Industry-Academia-Government Collaboration～
〈モデレーター〉
泉谷 渉 （（株）産業タイムズ社）
〈パネリスト〉
M. Goeckner （テキサス大学ダラス校、アメリカ）
J. G. Han （成均館大学、韓国)
堀 勝 （名古屋大学）
保坂 重敏 （東京エレクトロン（株））
佐藤 誠 （丸文株式会社）
E. Schultheiss （フラウンホーファー研究所、ドイツ）
|
| 18:20-18:30 |
閉会の辞 |
