プログラム
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1/28(月) | 1/29(火) | 1/30(水) | 1/31(木) | 2/1(金)
ポスターセッション1 | ポスターセッション2 | ポスターセッション3 | ポスターセッション4
Late News ポスターセッション1 | ポスターセッション2 | ポスターセッション3 | ポスターセッション4
会場：名古屋大学（東山キャンパス）
A会場 ： 豊田講堂
B会場 ： ESホール（ES総合館）
C会場 ： 野依記念学術交流館
ポスターセッション ： シンポジオン（豊田講堂）
1/28(月)
| 12:30- | 受付 |
| チュートリアル プラズマ科学 座長：豊田 浩孝 (名古屋大学) 【C会場】 |
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| 13:00-13:45 | L. Overzet (The Univ. of Texas at Dallas, USA) "Fundamental aspects of high aspect ratio silicon etching" |
| 13:45-14:30 | 佐々木 浩一 (北海道大学) "Introduction to advanced plasma diagnostics for material processing" |
| 14:30-14:40 | 休憩 |
| チュートリアル 窒化物半導体 座長：若原 昭浩（豊橋技術科学大学） 【C会場】 |
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| 14:40-15:25 | J. Duboz (CRHEA-CNRS, France) "Light matter interaction in GaN" |
| 15:25-16:10 | 名西 憓之 (立命館大学・Seoul National Univ., Korea) "Recent developments in growth of InN and In-rich InGaN and future prospect" |
| 16:10-16:20 | 休憩 |
| チュートリアル ナノ材料 座長：白藤 立（大阪市立大学） 【C会場】 |
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| 16:20-17:05 | F. Fracassi (Univ. of Bari, Italy) "Nanomaterial preparation with nonequilibrium plasmas" |
| 17:05-17:50 | 飯島 澄男 (名城大学) "Nano carbon materials: Science and applications" |
| 移動 | |
| 18:00-19:30 | ウェルカムパーティー 【名古屋大学 野依記念学術交流館】 |
1/29(火)
| 9:00- | 受付 | ||
| 開会 座長：天野 浩 (名古屋大学) 【A会場】 |
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| 9:20-9:35 | 開会挨拶 【来賓挨拶】 里見 朋香 (文部科学省 科学技術・学術政策局 産業連携・地域支援課長) 【主催者挨拶】 加藤 伸一 (科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 本部長) 【組織委員長挨拶】 堀 勝 (名古屋大学 教授) |
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| 9:35-9:45 | 開会の辞 (Opening Talk) 大塚 美則 (科学技術交流財団 東海広域知的クラスター創成事業本部 事業総括) |
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| 9:45-10:15 | 知的クラスター講演 Tua-A01C 堀 勝 (名古屋大学) |
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| 10:15-10:30 | 休憩 | ||
| 特別講演・基調講演 座長：宮崎 誠一（名古屋大学） 【A会場】 |
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| 10:30-11:10 | 特別講演 Tua-A02PL 大野 英男 (東北大学) "Spintronics makes CMOS VLSI nonvolatile" |
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| 11:10-11:40 | 基調講演 Tua-A03K J. G. Han (Sungkyunkwan Univ., Korea) "Challenge of plasma-nano technology for next generation frontier industry" |
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| 11:40-12:10 | 基調講演 Tua-A04K R. Ruoff (The Univ. of Texas at Austin), USA, L. Colombo (Texas Instruments Inc., USA) "Graphene and h-BN at the Interface" |
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| 12:10-13:20 | 昼食 | ||
| 13:20-14:50 | ポスターセッション 1 | ||
| 移動 | |||
| プラズマ科学1 プラズマ源と計測 Ⅰ 座長：P. Chabert (LPP, CNRS Ecole Polytechnique, France) 【A会場】 |
窒化物半導体1 窒化物結晶成長 Ⅰ 座長：天野 浩 (名古屋大学) 【B会場】 |
ナノ材料1 ナノカーボンおよび ナノ材料応用 座長：平松 美根男 （名城大学） 【C会場】 |
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| 14:55-15:20 | 招待講演 Tup-A01IA U. Czarnetzki (Ruhr Univ., Bochum, Germany) "Structured electrodes: Denser and more homogeneous plasmas" |
招待講演 Tup-B01IB R. Dwilinski (Ammono Company, Poland) "Bulk GaN substrates grown by ammonothermal method" |
招待講演 Tup-C01IC I. Lee (Chonbuk National Univ., Korea) "Localized surface plasmon mediated nanopillar light-emitting diode by Ag and Ag/SiO2 nanoparticles" |
| 15:20-15:40 | Tup-A02OA M. Shiratani (Kyushu Univ., Japan) "Time evolution of nanoparticle size in reactive plasmas: Comparison between theory and experiments" |
Tup-B02OB S. Kitagawa (Mie Univ., Japan) "Growth of thick AlN on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE" |
Tup-C02OC Y. Wang (National Cheng Kung Univ., Taiwan) "N-channel organic memory devices with TiO2 nanoparticles/polyimide insulator blends: Extra-high memory window" |
| 15:40-16:00 | Tup-A03OA R. W. Boswell (Space Plasma Power and Propulsion Laboratory, ANU, Australia) "Ideal low electron temperature plasma reactor" |
Tup-B03OB Y. Tomita (LayTec AG, Germany) "Strain engineering using in-situ curvature measurements and reduction of plastic deformation during the growth of GaN on various Si substrates" |
Tup-C03OC K. Nagashio (The Univ. of Tokyo, Japan) "Extraction of quantum capacitance in monolayer graphene" |
| 16:00-16:20 | Tup-A04OA Y. Yang (National Chiao Tung Univ., Taiwan) "A cold planar nitrogen atmospheric-Pressure plasma jet with enhanced UV emission and radical generation using short electrodes" |
Tup-B04OB I. Shin (Seoul National Univ., Korea) "Improved crytalline quality of low temperature GaN by using a pre-deposited indium layer" |
Tup-C04OC Y. Ding (Tokyo Inst. of Tech., Japan) "Silicon nanocrystal fabrication by using nonthermal plasma and application to hybrid Sinanocrystal/ P3HT solar cells" |
| 16:20-16:40 | 休憩 | ||
| プラズマ科学2 プラズマ源と計測 Ⅱ 座長：U. Czarnetzki (Ruhr Univ., Bochum, Germany) 【A会場】 |
窒化物半導体2 窒化物結晶成長 Ⅱ 座長：R. Dwilinski (Ammono Company, Poland) 【B会場】 |
ナノ材料2 中空、ポーラス材料 座長：牧原 克典 (名古屋大学) 【C会場】 |
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| 16:40-17:05 | 招待講演 Tup-A05IA P. Chabert (LPP, CNRS Ecole Polytechnique, France) "Modeling of atmospheric capacitive discharges in He/O2" |
招待講演 Tup-B05IB W. Walukiewicz (Lawrence Berkeley National Lab., USA) "In-rich group III-nitride alloys for solar power utilization devices" |
招待講演 Tup-C05IC T. Wei (Chung-Yuan Univ., Taiwan) "Rapid grafting of anti-biofouling and environment-responsive polymers by atmospheric-pressure plasmas" |
| 17:05-17:25 | Tup-A06OA N. Nishizawa (Nagoya Univ., Japan) "Ultrafast near-infrared spectroscopy using fiber laser based wavelength tunable narrowlinewidth source" |
Tup-B06OB Y. Kawai (Nagoya Univ., Japan) "Enhancement of growth rate in GaN homoepitaxy by plasma-assisted molecular beam epitaxy using high-density nitrogen radical source" |
Tup-C06OC F. Fracassi (Univ. of Bari, Italy) "Investigation of atmospheric pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition from methyldisiloxane precursors" |
| 17:25-17:45 | Tup-A07OA A. Pandey (Chubu Univ., Japan) "Curling probe monitoring of plasma CVD and wall cleaning processes" |
Tup-B07OB T. Kumada (Tohoku Univ., Japan) "Influence of N2 gas flow ratio on crystalline quality of Al-polar AlN layer deposited using reactive magnetron sputtering" |
Tup-C07OC W. Diono (Nagoya Univ., Japan) "Direct formation of composite hollow nanomicrofibers from polymer by electrospinning" |
1/30(水)
| 9:10- | 受付 | ||
| プラズマ科学3 薄膜の堆積と改質 座長：近藤 博基 (名古屋大学) 【A会場】 |
窒化物半導体3 光デバイス 座長：E. Monroy (CEA-Grenoble, France) 【B会場】 |
ナノ材料3 ナノパーティクル･ナノワイア・ナノロッド 座長：野崎 智洋 (東京工業大学) 【C会場】 |
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| 9:20-9:45 | 招待講演 |
招待講演 Wea-B01IB M. Pristovsek (Univ. of Cambridge, UK) "Low-cost high-efficiency GaN LEDs grown on 6- inch silicon" |
招待講演 Wea-C01IC C. Liu (Tianjin Univ, China) "Fabrication of metallic nano particles and nano composites via glow discharge plasma reduction: Current status and perspective" |
| 9:45-10:05 | Wea-A02OA W. Song (The Univ. of Tokyo, Japan) "Oxidation kinetics of Ge by oxygen radicals" |
Wea-B02OB T. Fujita (Panasonic Corporation, Japan) "Design of light-extracting texture and anisotropic dry etching of m-plane GaN LED" |
Wea-C02OC K. Koga (Kyushu Univ., Japan) "Single particle trapping in plasmas using laser for studying interaction between a fine particle and palsams" |
| 10:05-10:25 | Wea-A03OA H. Yamada (Diamond Research Lab. AIST, Japan) "Uniformity of the growth of single-crystal diamond wafers over inch size area by using reactive microwave plasma CVD" |
Wea-B03OB Withdrawn S. Kim (Korea Photonics Tech. Inst. (KOPTI), Korea) "High efficiency InGaN light-emitting diodes by using air void embedded SiO2 mask template" |
Wea-C03OC M. H. Mamat (Univ. Teknologi MARA, Malaysia) "Fabrication of high performance ZnO nanorod array-based UV photoconductive sensor by RF magnetron sputtering at different oxygen flow rates" |
| 10:25-10:45 | 休憩 | ||
| 分野間融合1 カーボン先端材料 座長：須田 善行 （豊橋技術科学大学） 【A会場】 | |||
| 10:45-11:15 | 基調講演 Wea-A04KD Y. Lee (Sungkyunkwan Univ., Korea) "Observing graphene grain boundary by optical microscopy" |
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| 11:15-11:40 | 招待講演 Wea-A05ID 山崎 聡 (産業技術総合研究所) "Diamond film growth and electronic devices" |
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| 11:40-12:00 | Wea-A06OD K. Higuchi (Nagoya Univ., Japan) "High-mobility carbon nanotube thin-film transistors fabricated on plastic film with flexographic printing technique" |
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| 12:00-13:00 | 昼食 | ||
| 13:00-14:30 | ポスターセッション 2 | ||
| 産学官連携1 名古屋からイノベーションを考える 座長：関根 誠 (名古屋大学) 【A会場】
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| 14:30-15:10 | 基調講演 Wep-A01KE 藤村 修三 (東京工業大学) "Management of technology for forming a global innovation base and developing human resources" |
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| 15:10-15:40 | 基調講演 Wep-A02KE J. De Boeck (IMEC, Belgium) "Open innovation in nano-electronics through a global industrial partnership" |
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| 15:40-16:10 | 基調講演 Wep-A03KE 山口 栄一 (同志社大学) "Three types of breakthrough innovations for creating future industries" |
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| 16:10-16:40 | 基調講演 Wep-A04KE P. Feraboli (Automobili Lamborghini Laboratory at the Univ. of Washington, USA) "Conducting industrial R&D in academia: Challenges and opportunities" |
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| 16:40-16:50 | 休憩 | ||
| 産学官連携2 座長：藤村 修三 (東京工業大学) 【A会場】
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| 16:50-18:20 | パネルディスカッション J. De Boeck (IMEC, Belgium) |
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| 移動 | |||
| 19:00-20:30 | バンケット （名古屋大学 南部食堂） | ||
1/31(木)
| 9:10- | 受付 | ||
| プラズマ科学4 エッチングプロセス 座長：L. Overzet (The Univ. of Texas at Dallas, USA) 【A会場】 |
窒化物半導体4 欠陥評価 座長：B. Daudin (CEA-Grenoble, France) 【B会場】 |
ナノ材料4 表面改質･表面機能化 座長：嶋 睦宏 （岐阜大学） 【C会場】 |
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| 9:20-9:45 | 招待講演 Tha-A01IA A. Eppler (Lam Research Corporation, USA) "Pulsed plasma applications in etch" |
招待講演 Tha-B01IB P. Ruterana (CIMAP UMR 6252 CNRS, ENSICAEN, CEA, France) "Mechanisms of damage formation during Rare Earth ion implantation in nitride semiconductors" |
招待講演 Tha-C01IC J. Cheng (IBM Almaden Research Center, USA) "Extending patterning capability using directed self-assembly" |
| 9:45-10:05 | Tha-A02OA S. Kumagai (Toyota Technological Inst., Japan) "3D wiring of vertically etched photo cell Islands for high voltage generation" |
Tha-B02OB A. Koizumi (Osaka Univ., Japan) "Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy using a new Eu precursor bis(n- propyltetramethylcyclopentadienyl) europium" |
Tha-C02OC E. Yang (Shizuoka Univ., Japan) "Enhanced surface functionalization of graphite-encapsulated nanoparticles by RF plasma with Pulsed-biasing powder blowing method" |
| 10:05-10:25 | Tha-A03OA R. Kometani (Nagoya Univ., Japan) "High temperature plasma etching of GaN" |
Tha-B03OB H. Nykanen (Aalto Univ., Finland) "Degradation of optical properties of epitaxial GaN induced by vacancy activation under low energy electron beam irradiation" |
Tha-C03OC W. Kuo (National Taiwan Univ. of Science and Tech., Taiwan) "Surface modification using zwitterionic and PEG based copolymers to improve hemocompatibilty" |
| 10:25-10:45 | 休憩 | ||
| プラズマ科学5 プラズマバイオおよび医療 座長：水野 彰 (豊橋技術科学大学) 【A会場】 |
窒化物半導体5 電子デバイス 座長：名西 憓之 (立命館大学 ・Seoul National Univ., Korea) 【B会場】 |
ナノ材料5 ナノ機能材料 座長：佐藤 尚 (名古屋工業大学) 【C会場】 |
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| 10:45-11:10 | 招待講演 Tha-A04IA A. Fridman (Drexel Univ., USA) "Plasma medicine: Fundamental physical and biochemical mechanisms of direct plasma interaction with living tissues." |
招待講演 Tha-B04IB 藤原 徹也 (ローム) "Plasma-process on GaN-based field-effect transistors" |
招待講演 Tha-C04IC H. Kwon (EMPA, Switzerland) "Functionally graded dual-nanoparticulatereinforced metal matrix composites" |
| 11:10-11:30 | Tha-A05OA P. Favia (Inst. For Inorganic Methodologies & Plasmas (IMIP)-CNR, Italy) "Surface modification of 3D porous scaffolds for Tissue Engineering by means of different plasma processes" |
Tha-B05OB D. C. Peter Raj (Nagoya Inst. of Tech., Japan) "Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs on 200 mm Si (111) substrate" |
Tha-C05OC B. Liaw (National Taiwan Univ. of Science and Tech., Taiwan) "Sythesis of high index facets nanoparticles for cholesterol sensing" |
| 11:30-11:50 | Tha-A06OA S. Maruyama (Nagoya Univ., Japan) "Potential of adipose tissue-derived stem cells and low temparature physical plasma for use in regenerative medicine" |
Tha-B06OB S. Ozaki (Fujitsu Laboratories Ltd., Japan) "Effect of ALD method on threshold voltage shift in AlGaN/GaN MIS-HEMTs" |
Tha-C06OC M. A. Bratescu (Nagoya Univ., Japan) "Graphene decorated with gold bimetallic nanoparticles in solution plasma" |
| 11:50-13:00 | 昼食 | ||
| 13:00-14:30 | ポスターセッション 3 | ||
| 分野間融合2 窒化物半導体の最先端技術 座長：加地 徹 (豊田中央研究所) 【A会場】
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| 14:30-15:00 | 基調講演 Thp-A01KD N. Grandjean (EPFL, Switzerland) "Advanced nitride semiconductors" |
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| 15:00-15:25 | 招待講演 Thp-A02ID B. Daudin (CEA-Grenoble, France) "AlGaN and InGaN Nanowire heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy" |
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| 15:25-15:50 | 招待講演 Thp-A03ID 藤岡 洋 (東京大学生産技術研究所) "Characteristics of GaN devices prepared by pulsed sputtering" |
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| 15:50-16:15 | 招待講演 Thp-A04ID 吉川 俊英 (富士通研究所) "GaN HEMT for high frequency amplifier and power conversion" |
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| 16:15-16:40 | 招待講演 Thp-A05ID K. Chen (The Hong Kong Univ. of Science and Tech., China) "Device technology for GaN mixed-signal integrated circuits" |
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| 16:40-17:00 | 休憩 | ||
| 分野間融合3 窒化物半導体の将来展望 ～プラズマ科学、ナノテクノロジーによるレボリューション～ 座長：分島 彰男(名古屋工業大学) 【A会場】
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| 17:00-18:15 | パネルディスカッション
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2/1 (金)
| 9:10- | 受付 | ||
| プラズマ科学6 新規プラズマ 座長：大野 哲靖 (名古屋大学) 【A会場】 |
窒化物半導体6 ナノ構造先進プロセ ス 座長：W. Walukiewicz (Lawrence Berkeley National Lab., USA) 【B会場】 |
ナノ材料6 エネルギー創造・ 貯蔵デバイス 座長：錦谷 禎範 (JX 日鉱日石エネル ギー) 【C会場】 |
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| 9:20-9:45 | 招待講演 Fra-A01IA M. C. M. van de Sanden (Dutch Inst. for Fundamental Energy Research, The Netherlands) "Power efficient plasma activation of CO2" |
招待講演 Fra-B01IB E. Monroy (CEA-Grenoble, France) "Single GaN-based nanowires for photodetection and sensing applications" |
招待講演 Fra-C01IC 中山 将伸 (名古屋工業大学) "Fabrication and electrochemical property of all solid-state Li polymer rechargeable battery" |
| 9:45-10:05 | Fra-A02OA E. Stamate (Technical Univ. of Denmark, Denmark) "Plasma assisted RF sputtering of lithium phosphorous oxynitride thin films for all-solidstate lithium ion batteries" |
Fra-B02OB W. Khalfaoui (Univ. François RABELAIS de Tours, France) "GaN surface protection during RTA annealing with GaON cap-layer" |
Fra-C02OC H.Seki (The Univ. of Tokyo, Japan) "Energy conversion between exciton and plasmon in ZnO quantum wells and Ag nanoparticles" |
| 10:05-10:25 | Fra-A03OA S. Cho (Tohoku Univ., Japan) "Control of plasma potential and fullerene clustering for high yield synthesis of nitrogen endohedral fullerene" |
Fra-B03OB Y. Hua (National Cheng Kung Univ., Taiwan) "GaN schottky barrier photodetectors with a lattice-matched Al0.82In0.18N intermediate layer" |
Fra-C03OC G. D. Temmerman (Dutch Inst. For Fundamental Energy Research, Netherlands) "Efficient nanostructuring of metals by low energy helium ions for advanced energy materials" |
| レイトニュース プラズマ科学 座長：大野 哲靖 (名古屋大学) 【A会場】 |
レイトニュース 窒化物半導体 座長：久保 俊晴 (名古屋工業大学) 【B会場】 |
レイトニュース ナノ材料 座長：平松 美根男 （名城大学） 【C会場】 |
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| 10:25-10:45 |
Fra-A04OLNA I. Suhariadi (Kyushu University) "Effects of nitrogen on crystal growth of sputter-deposited ZnO films for transparent conducting oxide" |
Fra-B04OLNB J. Birch (Linköping Univ.) "High quality GaN nanorods grown by liquidtarget reactive magnetron sputter epitaxy" |
Fra-C04OLNC N. Min (Korea Univ.) "Multi-walled carbon nanotube-mediated enhancement of photogenerated electron transport in a plasma-treated MWCNTs/TiO2 nanopowders hybrid electrode formed by one-step spray coating for dye-sensitized solar cells" |
| 移動 | |||
| 10:50-12:20 | ポスターセッション 4 | ||
| 12:20-13:30 | 昼食 | ||
| エネルギーセッション1 エネルギー革命 座長：平松 美根男（名城大学） G. Kalita（名古屋工業大学） 【A会場】
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| 13:30-14:00 | 基調講演 Frp-A01KD 野崎 智洋 (東京工業大学) "Plasma catalysis for next generation C1-Chemistry" |
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| 14:00-14:25 | 招待講演 Frp-A02ID 錦谷 禎範 (JX日鉱日石エネルギー) "Recent developments and future prospects for organic solar cells" |
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| 14:25-14:50 | 招待講演 Frp-A03ID I. Mukhopadhyay (Pandit Deendayal Petroleum Univ., India) "Recent development in solar power in gujarat: Case study for large power plant and solar city" |
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| 14:50-15:20 | 基調講演 Frp-A04KD L. Shaw (Illinois Inst. of Tech., USA) "Energy storage enabled by nanomaterials and advanced processing" |
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| 15:20-15:30 | 休憩 | ||
| エネルギーセッション2 エネルギー革命 座長：野崎 智洋 (東京工業大学) 【A会場】
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| 15:30-16:45 | パネルディスカッション 高効率エネルギー利用社会の構築に向けて 〈モデレーター〉 野崎 智洋 (東京工業大学) 〈パネリスト〉 松本 毅 (大阪ガス) I. Mukhopadhyay (Pandit Deendayal Petroleum Univ., India) 中山 将伸 (名古屋工業大学) 錦谷 禎範 (JX日鉱日石エネルギー) L. Shaw (Illinois Inst. of Tech., USA) W. Walukiewicz (Lawrence Berkeley National Lab., USA) |
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| 16:45-16:55 | アワード表彰 授与：堀 勝 (組織委員長) 発表：若原 昭浩 (プログラム委員長) 司会：TBA |
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| 16:55-17:00 | 閉会 | ||