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講演者の方へ
・3/8(日)
| 18:00-19:30 |
ウエルカムパーティー 於ホテルキャッスルプラザ |
・3/9(月)
| 9:00-9:10 |
開会式
主催者挨拶
松尾 稔 (財団法人科学技術交流財団 理事長)
開会挨拶
堀 勝（組織委員会委員長） |
| 9:10-9:30 |
知的クラスターの
成果と今後の計画
（司会：野田 正治） |
竹中 修 （財団法人科学技術交流財団）
Tokai Region Nanotechnology Manufacturing Cluster
Innovation of Environment-Friendly High-Level Functional Materials and Devices Leading the World
東海広域ナノテクものづくりクラスター |
| 9:30-10:10 |
堀 勝 （名古屋大学）
Advanced Plasma Fundamental Nanotechnology
先進プラズマナノ基盤技術 |
| 10:10-10:30 |
休憩 |
| 10:30-11:00 |
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高井 治（名古屋大学）
Development of Nanomaterials with Novel Surface Function
表面機能化による先進ナノ部材 |
| 11:00-11:30 |
江川 孝志（名古屋工業大学）
High-efficient Optical, Power Materials and Devices
高効率光･パワーデバイス |
| 11:30-12:00 |
渡辺 義見（名古屋工業大学）
Development of Nanocomposites Based on Interface Engineering
-Collaboration with Other Relevant Ministries-
界面制御ナノコンポジット部材 −関係府省連携枠− |
| 12:00-14:00 |
ランチ・ポスターセッション I |
| 14:00-14:30 |
先導的プラズマ・ナノプロセス研究機関におけるプラズマ研究の取り組み
（司会：中村 圭二） |
J.G. Han, Y.S. Choi, A. Matilainen, and S.B. Jin（成均館大学 韓国）
Low Temperature Synthesis of SiO2 on Polymer Substrate by PECVD
プラズマ化学気相堆積法によるポリマー基板へのシリコン酸化膜の低温合成 |
| 14:30-15:00 |
U. Czarnetzki1, B.G. Heil1, J. Schulze1, Z. Donko2, R.P. Brinkmann1, and Th. Mussenbrock1（1ルール大学 ドイツ 2ハンガリー科学院 ハンガリー）
A Novel Technique for Independent Control of Ion Energy and Flux in CCPs
容量結合型プラズマ中のイオンエネルギーと粒束の独立制御の新手法 |
| 15:00-15:30 |
M.J. Goeckner, C.T. Nelson, S.P. Sant, A.K. Jindal, E. Joseph, B-S. Zhou, G. Padron-Wells, B. Jarvis, C. Estrada, D. Urrabazo, R. Pierce, and L.J. Overzet
（テキサス大学ダラス校 アメリカ）
Plasma-surface Interactions
プラズマ表面相互作用 |
| 15:30-15:40 |
休憩 |
| 15:40-16:10 |
プラズマ(2)
先進プラズマナノ材料プロセシングの現状と展望
（司会：渡辺 義見） |
G. Cunge1, E. Pargon1, O. Joubert1, L. Vallier1, T. Chevolleau1, R. Ramos1, E. Sungauer1, M. Martin1, O. Luere1, S. Barnola2, T. Morel2, and T. Lill3
（1 CNRS, フランス 2 CEA-LETI, フランス 3Applied Materials, アメリカ）
Challenges and Future Prospects in Plasma Etching
プラズマエッチングにおける挑戦と将来展望 |
| 16:10-16:40 |
J. Musil1,2 and P. Baroch1
（1西ボヘミア大学、チェコ共和国 2チェコ科学院、チェコ共和国）
Advanced Sputtering Discharges for Thin Film Deposition
薄膜堆積のための先進スパッタリング放電技術 |
| 16:40-17:10 |
保坂 重敏 （東京エレクトロン株式会社）
Current R&D Status and Prospects of Si Semiconductor Plasma Processing Equipment System
Si半導体プラズマプロセス装置研究開発の現状と展望 |
| 17:30-19:00 |
バンケット
於名古屋大学 レストラン花の木 |
・3/10(Tue)
| 9:00-9:20 |
窒素ラジカルソースとラジカルモニタリングを用いた自律型ＭＢＥ装置の開発に向けて
（司会：平松 和政） |
堀 勝 （名古屋大学）
Application of Advanced Plasma Technology for the Development of Autonomic MBE System
先進プラズマ技術の自律型MBE装置開発への応用 |
| 9:20-9:45 |
B. Daudin（CEA フランス）
Growth of GaN Heterostructures by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
プラズマアシストMBEによるGaNヘテロ構造の成長 |
| 9:45-10:10 |
名西 やすし, 山口 智弘 （立命館大学）
Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring
MBEによるInNの新しい成長法および窒素ラジカルモニタとしての効用 |
| 10:10-10:30 |
休憩 |
| 10:30-10:55 |
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吉川 明彦, 石谷 善博, 橋本 直樹, 齊藤 英幸, 崔 成伯（千葉大学）
Self-limiting Growth of -1ML-thick InN on Ga-polarity GaN by rf-plasma MBE
RFプラズマMBEによるGa面GaN上InNの1分子層自己制御成長 |
| 10:55-11:20 |
J.Y. Duboz, F. Semond, Y. Cordier, and J. Massies （CRHEA-CNRS, フランス）
MBE Epitaxy of GaN on Si
Si基板上GaNのMBE成長 |
| 11:20-11:45 |
岸野 克巳, 関口 寛人, 菊池 昭彦（1上智大学 2上智大学ナノテクノロジー研究センター 3科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業）
Regularly Arranged InGaN-based Nanocolumns and their Emission Color Control over Full Visible Range
InGaN系ナノコラムの周期成長および可視全域発光 |
| 11:45-12:00 |
天野 浩（名城大学）
Expectation for Nitride-based Nanostructure for Future Light Emitting Devices
次世代光源実現のためのナイトライドナノ構造への期待 |
| 12:00-14:00 |
ランチ・ポスターセッション II |
| 14:00-14:30 |
先進プラズマナノ科学研究拠点形成に向けて
同時通訳あり
（司会:関根 誠) |
J.C. Guibert （CEA, MINATEC, フランス）
MINATEC, A New Research Campus Concept for Nanoscience and Technology
MINATEC:ナノ科学及びナノ技術のための新しいキャンパスのコンセプト |
| 14:30-15:00 |
C.D. Dilks（フィラデルフィアサイエンスセンター アメリカ）
Technology-LED Economic Development
-Changing Tactics to Meet Desire Outcomes Science Center in Philadelphia, Pennsylvania - A Case Study
技術牽引型経済発展 −市場ニーズを満たす革新的戦略− フィラデルフィアサイエンスセンターの事例 |
| 15:00-15:30 |
久米 道之（財団法人名古屋都市産業振興公社・プラズマ技術産業応用センター）
Activities of Plasma Technology Transfer to Industries in PLACIA
PLACIAにおけるプラズマ技術の産業界への技術移転 |
| 15:30-15:50 |
休憩 |
| 15:50-17:00 |
パネルディスカッション
同時通訳あり
（司会：滝川 浩史） |
〜Technology Transfer; Scheme and Management〜
技術移転のしくみとマネージメント
モデレーター
竹中 修 (財団法人科学技術交流財団)
パネリスト
堀 勝 （名古屋大学）
J.G. Han （成均館大学校 韓国）
J.C. Guibert （MINATEＣ フランス）
C. Dilks （フィラデルフィアサイエンスセンター アメリカ）
久米 道之（財団法人名古屋都市産業振興公社）
松本 功（TN EMC Ltd.） |
・3/11(水)
| 9:00-9:20 |
ラジカル制御プラズマナノプロセス研究の最前線
(司会：豊田 浩孝) |
原 民夫, 市來龍大, 久保田雄介 （豊田工業大学）
Modification of Metal Surface by Atomic Nitrogen
原子状窒素による金属表面改質 |
| 9:20-9:40 |
平松 美根男（名城大学）
Carbon Nanowall Fabrication by Radical-Controlled Plasma Processing: Toward the Application for New Functional Devices
ラジカル制御プラズマプロセスによるカーボンナノウォールの作製：新機能デバイス実現に向けて |
| 9:40-10:00 |
白谷正治1，岩下伸也1，宮田大嗣1，松崎 秀文1， 古閑一憲1， 秋山守人2
（1九州大学、2産業技術総合研究所）
Plasma Manipulation of Nano-blocks and its Application to ULK Film Deposition
ナノブロックのプラズママニピュレーションとそのULK薄膜堆積への応用 |
| 10:00-10:30 |
休憩 |
| 10:30-10:50 |
先進プラズマフレキシブルエレクトロニクス研究の最前線
（司会：平松 美根男） |
節原 裕一1, 4, 趙 研1, 竹中 弘祐1, 4, 白谷 正治2, 4, 関根 誠3, 4, 堀 勝3, 4
（1大阪大学 2九州大学 名古屋大学 4科学技術振興機構, 戦略的創造研究推進事業）
Production and Control of Low-Damage Large-Area Plasmas for Advanced Processing of Next-Generation Devices
次世代デバイスの先進プロセスに向けた低ダメージ大面積プラズマ生成・制御 |
| 10:50-11:10 |
中村 圭二, 菅井 秀郎（中部大学）
Development of Electron-Based Plasma Monitoring for Precise Control of Plasma Process
プラズマプロセスの精密制御のための電子系モニターの開発 |
| 11:10-11:30 |
若原 昭浩, 岡田 浩, 古川 雄三（豊橋技術科学大学）
Nitride-based Optoelectronic Integrated Devices
ナイトライドをベースとした光・電子デバイス |
| 11:30-11.50 |
豊田 浩孝（名古屋大学）
Low Temperature Microcrystalline Silicon Film Deposition by Microwave High-density Plasma
マイクロ波高密度プラズマによる低温での微結晶シリコンフィルム堆積 |
| 11:50-12.10 |
上坂 裕之、梅原 徳次（名古屋大学）
Novel DLC Synthesis Method Employing High-density Plasma sustained by Microwave Propagation along Plasma-sheath Interface
マイクロ波のプラズマ‐シース境界伝播によって生成される高密度プラズマを用いた新しいDLC合成法 |
| 12:10-12:20 |
閉会式 |
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